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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.hortport.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hortport.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.hortport.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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組件線又叫封裝線,封裝是太陽能電池生產中的關鍵步驟,沒有良好的封裝工藝,多好的電池也生產不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證,而且還增強了電池的抗擊強度。產品的高質量和高壽命是贏得可客戶滿意的關鍵,所以組件板的封裝質量非常重要。  4.1流程圖:       1、電池檢測——2、正面焊接—檢驗—3、背面串接—檢驗—4、敷設(玻璃清洗、材料切割、玻璃預處理、敷設)——5、層壓——6、去毛邊(去邊、清洗)——7、裝邊框(涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠)——8、焊接接線盒——9、高壓測試——10、組件測試—外觀檢驗—11、包裝入庫;  4.2組件高效和高壽命如何保證:      1、 高轉換效率、高質量的電池片 ;      下面是電池的結構示意圖:     (1) 金屬電極主柵線;(2)金屬上電極細柵線;(3)金屬底電極;     (4)減反射膜;(5)頂區層(擴散層);(6)體區層(基區層);      2、高質量的原材料,例如...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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單晶制絨操作工藝       單晶硅片制絨工藝流程,主要包括以下幾個方面。  1.裝片       ①戴好防護口罩和干凈的橡膠手套。       ②將倉庫領來的硅片從箱子中取出,以2o0片為一個生產批次,把硅片插入清洗小花籃,在裝片過程中,由于硅片易碎,插片員需輕拿輕放;來料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片,不能流人生產線,及時報告品管員,將這些硅片分類放置、集中處理;有缺片現象時,要在缺片記錄上記錄缺片的批號、廠商、箱號和缺片數。       ③在“工藝流程卡”上準確記錄硅片批號、生產廠家、電阻率、投入數、投入時間和主要操作員。       ④裝完一個生產批次后,把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上,等待制絨。  2.開機       ①操作員打開工藝排風,打開壓縮空氣閥門,打開設備進水總閥。       ②操作員打開機器電源,待設備...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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鍺單晶拋光片主要用于航天領域中的太陽電池系統中,在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結以及多結化合物太陽能電池具有轉換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強等優勢。化合物太陽電池在MOCVD工藝中需要生長多層晶體材料,并且是異質結生長,容易產生晶格畸變。因此,化合物太陽電池對鍺單晶拋光片的表面質量提出了較為苛刻的要求。  1.鍺單晶片的化學腐蝕工藝技術        通過采用不同的化學腐蝕液對鍺單晶片進行化學腐蝕,從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進行比較,最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學腐蝕工藝,并通過不同腐蝕液對鍺腐蝕速率影響的研究,為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細的參考。   2.鍺單晶片的拋光工藝技術        主要討論了拋光工藝參數對拋光片幾何參數和表面質量的影響,并通過工藝實驗,得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。  3.鍺單晶拋光片的清洗工藝技術闡述了鍺單晶拋光片的清洗機理,通過對鍺拋光片表面有機物和顆粒的去除技術研究,建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術。利用該技術清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽電池的使用要求。
發布時間: 2016 - 03 - 23
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產品簡介:        主要用于單晶太陽能電池片制造工藝中的制絨工藝,能夠有效去除硅片表面的機械損傷層和氧化層,并在硅片表面制備一個反射率在10%~20%的織構表面,形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。 產品特點:        預清潔工序使制絨更均勻        低化學劑消耗,可靈活調整配方     強大的數據庫支持異常追蹤  先進的雙槽制絨工藝槽結構,具有更好的溫度及溶液均勻性  性價比高,售后服務快捷   蘇州華林科納的太陽能制絨酸洗機主要特點如下:    1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽能硅片的制絨酸洗    2.設備骨架用厚壁方鋼制做,外包德國進口磁白聚丙稀pp板,美觀抗腐蝕性能優越。    3.隔板:在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板,1#槽單獨排風,防止1#槽中揮發的有機氣體與其他氣體混合發生反應。 &#...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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1.太陽能概況  太陽能是各種可再生能源中最重要的基本能源,生物質能、風能、海洋能、水能等都來自太陽能,廣義地說,太陽能包含以上各種可再生能源。太陽能作為可再生能源的一種,則是指太陽能的直接轉化和利用。通過轉換裝置把太陽輻射能轉換成熱能利用的屬于太陽能熱利用技術,再利用熱能進行發電的稱為太陽能熱發電,也屬于這一技術領域;通過轉換裝置把太陽輻射能轉換成電能利用的屬于太陽能光發電技術,光電轉換裝置通常是利用半導體器件的光伏效應原理進行光電轉換的,因此又稱太陽能光伏技術。 二十世紀50年代,太陽能利用領域出現了兩項重大技術突破:一是1954年美國貝爾實驗室研制出6%的實用型單晶硅電池,二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽吸收涂層。這兩項技術突破為太陽能利用進入現代發展時期奠定了技術基礎。 70年代以來,鑒于常規能源供給的有限性和環保壓力的增加,世界上許多國家掀起了開發利用太陽能和可再生能源的熱潮。1973年,美國制定了政府級的陽光發電計劃,1980年又正式將光伏發電列入公共電力規劃,累計投入達8億多美元。1992年,美國政府頒布了新的光伏發電計劃,制定了宏偉的發展目標。日本在70年代制定了“陽光計劃”,1993年將“月光計劃”(節能計劃)、“環境計劃”、“陽光計劃”合并成“新陽光計劃”。德國等歐共體國家及一些發展中國...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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一、硅片檢測        硅片是太陽能電池片的載體,硅片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低,因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術參數進行在線測量,這些參數主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、硅片傳輸、系統整合部分和四個檢測模塊。其中,光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數;微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內部微裂紋;另外還有兩個檢測模組,其中一個在線測試模組主要測試硅片體電阻率和硅片類型,另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前,需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測,并自動剔除破損硅片。硅片檢測設備能夠自動裝片和卸片,并且能夠將不合格品放到固定位置,從而提高檢測精度和效率。 二、表面制絨        單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液,可用的堿有氫氧化鈉,氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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一、電池片工藝流程       制絨(INTEX)---擴散(DIFF)---后清洗(刻邊/去PSG)---鍍減反射膜(PECVD)---絲網、燒結(PRINTER)---測試、分選(TESTER+SORTER)---包裝(PACKING)。二、前清洗(制絨)知識簡介       1、RENA前清洗工序的目的:       (1)去除硅片表面的機械損傷層(來自硅棒切割的物理損傷);       (2)清除表面油污(利用HF)和金屬雜質(利用HCl);  (3)形成起伏不平的絨面,利用陷光原理,增加對太陽光的吸收,在某種程度上增加了PN結面積,提高短路電流(Isc),最終提高電池光電轉換效率。       2、前清洗工藝步驟:制絨→堿洗 →酸洗→吹干       Etch bath:刻蝕槽,用于制絨。所用溶液為HF+HNO3 ,作用:     (1)去除硅片表面的機械損傷層;  &...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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1、導電類型conductivity type   2、n-型半導體  n-type semiconductor       多數載流子為電子的半導體。   3、p-型半導體  p-type semiconductor       多數載流子為空穴的半導體。   4、載流子  carrier       固體中一種能夠傳輸電荷的載體,又稱荷電載流子。例如,半導體中導電空穴和導電電子。   5、少數載流子minority carrier       小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如:p型半導體中的電子。   6、雜質濃度impurity concentration       單位體積內雜質原子的數...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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晶片表面清洗       潔凈的晶片是芯片生產全過程中的基本要求,但并不是在每個高溫下的操作前都必須進行。一般說來,全部工藝過程中的高達20%的步驟為晶片清洗。而我在這里將要描述的清洗工藝,將貫穿芯片生產的全過程。        半導體工藝的發展過程在很多方面可以說是清洗工藝隨著對無污染晶片需求不斷增長而發展的過程。晶片表面有四大常見類型的污染,每一種在晶片上體現為不同的問題,并可用不同的工藝去除。這四種類型是:     1.顆粒     2.有機殘余物     3.無機殘余物     4.需要去除的氧化層        通常來說,一個晶片清洗的工藝或一系列的工藝,必須在去除晶片表面全部污染物(上述類型)的同時,不會刻蝕或損害晶片表面。它在生產配制上是安全的、經濟的,是為業內可接受的。通常對清洗工藝的設計適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫作前線(FEOL),特指那些形成活性電性部件之前的生產步驟。在這些步驟中,晶片表面尤其是MOS器件的柵區...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優良的材料。理論上他將接收到的陽光40%的轉化為電能,轉化率約是硅的2倍,因此衛星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽能電磁板的材料。然而,超聲波清洗器傳統的砷化鎵晶片制造技術每次只能生成一層晶片,成本居高不下,限制了砷化鎵的廣泛應用。砷化鎵晶片在清洗工藝上的要求,是希望能夠達到對晶片表面上殘留的鎵氧化物、砷氧化物和一些對后續工藝有害的金屬、污垢、油污、雜質、蠟點、塵埃、臟點等。在清洗上存在的難題,可以采用超聲波清洗機能夠達到理想的清洗效果。       超聲波清洗機的原理分解,可以達到物件全面潔凈的清洗效果,特別對盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗設備,不影響任何物件的材質與精度。超聲波還具有的強力空腔化作用,可以在短時間內清洗掉砷化鎵晶片上的污垢、油污,完全可保證產品的質量。       超聲波清洗機清洗效果好,清潔度高且全部工件清潔度一致。清洗速度快,提高生產效率,不須人手接觸清洗液,安全可靠。清洗砷化鎵晶片的高清洗工藝要求,選用超聲波清洗機清洗。言之,超聲波清洗機的基本原理是以每秒幾萬次的振動,在液體中產生超聲波空化作用形成空化泡。在空化泡消失時產生很大的沖擊力,當被洗工件受到這個外力沖擊時,工件表面的沾污就被剝離,達...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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