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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.hortport.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hortport.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.hortport.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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單片清洗機在安裝調試的過程中,會遇到一些常見問題,華林科納CSE的安裝技術工程師也整理了如下注意事項,可供大家參考:機械部分1.設備結構主要分為:設備殼體,中間選轉部分,四周擺臂部分,后部滾刷部分,設備管路系統,供酸系統;2.中間選轉部分在安裝時,要保證安裝完成后,中間旋轉部分的高度可以調節,真空壓力要保證好,防止旋轉時及進行滾刷時把片子轉飛掉,在腐蝕清洗時,要保證有一定的轉速,藥液從片著四周出去,防止污染片子背面;3.四周擺臂機構,根據工藝要求每個擺臂上面的藥液和噴頭也不一樣,工藝制作時,根據藥液來選擇擺臂,擺臂設計時,因為有些藥液有溫度要求,擺臂應該藥液預熱或者預冷位置,讓藥液進行預熱或者預冷,同時不會噴到片子上面,擺臂還有擺動噴灑藥液的供液,擺動的幅度和擺動的范圍都是要可以調整的;4.后部滾刷部分,在整個機構組裝安裝完成之后,擺動的高度也是可以進行上下調整的,滾刷伸出和縮回的距離也應該可以進行設定,因為滾刷的材料是PVA的,用之前是進行真空包裝,安裝之后,要每隔10秒滾刷進行滾動,滾動同時上面要進行噴水,不然滾刷就會變硬;5.旋轉,擺動,滾刷,根據工藝的不同,可以進行選擇,然后進行不同的組合。電器部分1.在制作程序時,有要求設定參數時,都應該設有該參數的最大值和最小值,讓用戶在范圍內進行設定,防止發生錯誤;2.因為單片機的藥液溫度要求較高,所以制作程序時要考慮藥液預熱和預冷的...
發布時間: 2018 - 01 - 02
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華林科納主要通過偏心旋轉改善蝕刻均勻度以及斜度,通過精準的溫度控制及時間調節定位蝕刻深度更多的相關設備調試視頻可以關注華林科納CSE官網(http://www.hortport.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2018 - 01 - 02
瀏覽次數:129
SOLAR SIMULATOR SIMULATORMODEL # SS150AAA太陽能模擬器型號   SS150AAAFEATURES 性能 TECHNICAL SPECIFICATIONS 技術參數
發布時間: 2016 - 03 - 24
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EchoProbe SOFTWARE反射探針軟件setup of Recipes,Data logging,Real time Display 設置菜單,數據記錄,實時顯示 EchoProbe SOFTWARE反射探針軟件Programable Data Points and Patterns, Variety of Displays可控數據點,模式,顯示種類 Presentation of Results結果陳列  Advantages of Optical EchoProbe光學反射探針優勢?  Can measure Si or III/V wafers with or without tape, with Film frame, bumped wafers, bonded wafer - with Si or Glass or Sapphire carriers.可測量膠帶及Si或者III/V裸硅片,帶薄膜框架,凸起硅片,Si或者玻璃粘合硅片?  Not affected by tape thickness, adhesives, pattern structures or non conducting materials不受膠帶厚度,粘合劑,圖案結構或者不導電材料影響?  Non contact tec...
發布時間: 2016 - 03 - 24
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Wafer and Membrane Thickness, Warp, TTV硅片和薄膜厚度,彎曲,TTVOptical EchoProbe光學反射探針 Outline概要?   Introduction簡述?   Measurement Requirements for Wafer Thinning硅片減薄測量要求?   Discussion  of different approaches for Wafer Thickness Measurement硅片厚度檢測不同方法的討論?   Optical  EchoProbe for Wafer Thickness Measurement光學反射探針的硅片厚度檢測?   Applications應用   –  Thickness and Warp after Grinding, Etching研磨,蝕刻后的厚度和翹曲  – Measurement of stacks of non- and semiconducting materials (MEMS)   –半導體材料(MEMS)的堆疊檢測?   Configur...
發布時間: 2016 - 03 - 24
瀏覽次數:154
Bump Height Measurement凸起高度測量 Ultra Fast Measurements (UF 800)超快速測量? Acquisition time of 125 μs accomplished with High Speed reference mirror and optical encoder?   高速參考反射鏡和光編碼器使設備僅需125 μs采集時間?   Ideal  solution for measurement on spinning wafers旋轉硅片測量的理想方法?   Pressurized  enclosure for measurement in challenging environments高壓密閉檢測 ?   Software  and hardware interface for customizitation/OEM按客戶需求訂制軟件和硬件界面  413 Optical EchoProbe光學反射探針Overview about Configurations結構綜述413EC (Manual System手動系統)413-200 (Semiautomated system –m...
發布時間: 2016 - 03 - 24
瀏覽次數:104
Long Distance Measurement長距離測量  Topography of a strained Wafer w/ Film on Topw已變形硅片構形/頂部有薄膜  Real World Samples實際樣例Mounted Wafers on Elastic Tapes硅片置于橡皮圈膠帶上 Inhomogeneous tapes heavilyscatter light, and complicate measurements不均勻的膠帶使燈光散開,使測量復雜化(distance between text and tape is  Warp Measurement翹曲檢測?   Warp翹曲: 101.86?   Bow弓起 44.68
發布時間: 2016 - 03 - 24
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Applications應用?  Wafer Thickness and TTV硅片厚度和TTV?  Topography構狀?  Strained wafers已變形的硅片?  Profile depth輪廓深度?  Measurement of Tape膠帶測量?  Warp翹曲?  Bump Height凸起高度?  Ultra Fast Measurements超快速測量 Warp and Dam Thickness?翹曲和壩厚度  Dam Thickness壩厚度  Warp翹曲  Measurement of Wafer Topography硅片圖形測量? wafer topography and thickness using EchoprobeTechnology.硅片圖形和厚度用回射探針技術? Values on iso-lines are expressed inμm Wafer is concave in the middle.iso線的測量值是以um表示的,硅片中間是凹的   Measurement of Profile Depth輪廓厚度測量High Aspect Rat...
發布時間: 2016 - 03 - 24
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Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement128 128L 128LC2C薄膜應力測試產品簡介128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介紹? Product Pictures產品圖片? Basic principles of 128 Line  128產品系列基本原理? Film Stress薄膜應力? Dual laser scanner雙激光掃描? Stoney equation for film stress薄膜應力Stoney方程式? Who needs the products?誰需要這種產品?? Film property monitor and/or R&D薄膜性能監測及研發? What are the simple specifications?什么是基本參數?? Film stress range / reproducibility薄膜應力范圍/可再生性 128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )薄膜應力和平整度測試設備(室溫) Film Stress & Wafer Yi...
發布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數:395
Optical EchoProbe 413光學反射探針Latest Optical Technique最新的光學技術Ideal solution for Wafer Backgrind and Etch Thickness Gauging on Si, GaAs or III-Vs, non-conducting materials like Glass, Tape硅片背面研磨蝕刻厚度測量最理想方案用于Si, GaAs或者III-Vs,非導電材料比如玻璃,膠帶 Optical EchoProbe Technology光學反射探針技術Low Coherence Interferometry (other than classical interferometry) is suitable for rough surfaces even in the case of speckle imaging. This makes it interesting for industrial use.低相干干擾量度法(不同于傳統的干擾量度法)適用于粗糙表面,甚至是斑點圖象。這另它適用于工業使用。Fiber-optic implementation of Michelson interferometer LS with low coherence light source 低凝聚光源的邁克...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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