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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.hortport.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hortport.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.hortport.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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TFT-LCD的制造過程此文件僅供參考學習,勿用于商業用途一、Array制程薄膜黃光蝕刻剝膜二、Cell制程配向膜印刷密封膠涂布噴淋間隔物注入液晶密封組合偏光片貼附三、Module制程COG制程軟性電路板壓合印刷電路板壓合背光模組組裝老化測試
發布時間: 2019 - 02 - 12
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低通濾波器低通濾波器(英語:Low-pass filter)容許低頻信號通過,但減弱(或減少)頻率高于截止頻率的信號的通過。對于不同濾波器而言,每個頻率的信號的減弱程度不同。當使用在音頻應用時,它有時被稱為高頻剪切濾波器,或高音消除濾波器。高通濾波器則相反,而帶通濾波器則是高通濾波器同低通濾波器的組合。低通濾波器概念有許多不同的形式,其中包括電子線路(如音頻設備中使用的hiss濾波器、平滑數據的數字算法、音障(acoustic barriers)、圖像模糊處理等等)。低通濾波器在信號處理中的作用等同于其它領域如金融領域中移動平均數(moving average)所起的作用;這兩個工具都通過剔除短期波動、保留長期發展趨勢提供了信號的平滑形式。低通濾波器實例一個固體屏障就是一個聲波的低通濾波器。當另外一個房間中播放音樂時,很容易聽到音樂的低音,但是高音部分大部分被過濾掉了。類似的情況是一輛小汽車中播放非常大的音樂聲,在另外一個車中的人聽來卻是低音節拍,因為這時封閉的汽車和空氣間隔起到了低通濾波器的作用,減弱了所有的高音。電子低通濾波器用來驅動重低音喇叭(subwoofer)和其它類型的擴音器、并且阻塞它們不能有效傳播的高音節拍。無線電發射機使用低通濾波器阻塞可能引起與其它通信發生干擾的諧波發射。DSL分離器使用低通和高通濾波器分離共享使用雙絞線的DSL和POTS信號。低通濾波器也在如R...
發布時間: 2019 - 01 - 30
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線性濾波器線性濾波器用于時變輸入信號的線性運算(en:linear operator)。線性濾波器在電子學和數字信號處理中應用非常普遍(參見電子濾波器中的文章),它們也用于機械工程和其它技術領域。線性濾波器經常用于剔除輸入信號中不想要的頻率或者從許多頻率中選擇一個想要的頻率。濾波器和濾波器技術類型非常廣泛,這篇文章將給出一個總的描述。不論它們是電子的、電力的還是機械的,也不論它們的頻率范圍或者時間尺度有多大,線性濾波器的數學理論都是通用的。按照傳遞函數分類:脈沖響應線性濾波器可以分為兩類:無限脈沖響應(IIR)和有限脈沖響應(FIR)濾波器。通常,一個窄(compact)頻率響應的濾波器有無限脈沖響應,一個窄脈沖響應的濾波器有無限頻率響應。直到,人們才能夠實現模擬IIR濾波器,但是,如模擬延時線(en:analog delay line)和數字濾波器這樣的技術都已經實現了FIR濾波器。頻率響應幾種常見的線性濾波器:● 允許低頻率通過的低通濾波器。● 允許高頻率通過的高通濾波器。● 允許一定范圍頻率通過的帶通濾波器。● 阻止一定范圍頻率通過并且允許其它頻率通過的帶阻濾波器。● 允許所有頻率通過、僅僅改變相位關系的全通濾波器。● 阻止一個狹窄頻率范圍通過的特殊帶阻濾波器陷波濾波器(en:notch filter)。● ...
發布時間: 2019 - 01 - 30
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單晶硅片加工工藝主要為:切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗等。切斷:是指在晶體生長完成后, 沿垂直與晶體生長的方向切去晶體硅頭尾無用的部分,即頭部的籽晶和放肩部分以及尾部的收尾部分。通常利用外圓切割機進行切割。 外圓切割機刀片邊緣為金剛石涂層。這種切割機的刀片厚,速度快,操作方便;但是刀縫寬,浪費材料,而且硅片表面機械損傷嚴重。目前,也有使用帶式切割機來割斷晶體硅的,尤其適用于大直徑的單晶硅。外徑滾圓:在直拉單晶硅中,由于晶體生長方時的熱振動,熱沖擊等原因,晶體表面都不是非常平滑的,也就是說整根單晶硅的直徑有一定偏差起伏;而且晶體生長完成后的單晶硅棒表面存在扁平的棱線,需要進一步加工,使得整根單晶硅棒的直徑達到統一,以便于在后續的材料和加工工藝中操作。切片:在單晶硅滾圓工序完成后,需要對單晶硅棒切片。太陽電池用單晶硅在切片時,對硅片的晶向,平行度和翹曲度等參數要求不高,只需對硅片的厚度進行控制。倒角:將單晶硅棒切割成晶片,晶片銳利邊需要休整成圓弧形,主要防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生。研磨:切片后,在硅片的表面產生線痕,需要通過研磨除去切片所造成的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅的翹曲度、平坦度與平行度,達到一個拋光處理的過程規格。腐蝕、清洗:切片后,硅片表面有機械損傷層,近表面晶體的晶格不完整,而且硅片表面有金屬粒子等雜質污染。因此,一般切片后,在制備太陽能電池前,需要...
發布時間: 2019 - 01 - 29
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無源濾波器單極型以RC實現的低通濾波器最簡單的線性濾波器的電子實現是電阻、電感和電容的組合。這些濾波器有RC、RL、LC和RLC等多種形式。所有這些類型的濾波器總稱為無源濾波器,這是因為它們都不需外部電源供電。電感阻止高頻信號通過而允許低頻信號通過,電容的特性卻相反。信號能夠通過電感的濾波器、或者通過電容連接到地的濾波器對于低頻信號的衰減要比高頻信號小,稱為低通濾波器。如果信號通過電容、或者通過電感連接到地,那么濾波器對于高頻信號的衰減要比低頻信號小,稱為高通濾波器。電阻自身沒有頻率選擇的特性,但是加入到電感和電容一起決定電路的時間常數,因此也決定了相應的頻率。在大概超過100 MHz這樣非常高的頻率,有時電感由一個單環或者金屬片組成,電容由相鄰的金屬片組成,它們稱為stubs。多極型二階濾波器用Q因數來衡量。如果一個濾波器通過或者阻止的頻率帶寬與中心頻率相比非常狹窄那么就說這個濾波器有很高的Q因數。Q定義為中心頻率/3dB帶寬。
發布時間: 2019 - 01 - 29
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電子濾波器電子濾波器(英語:electronic filters)可執行信號處理功能的電子線路組件或設備,它專門用于去除信號中不想要的成分或者增強所需成分。電子濾波器有音頻濾波器(wave filter)與噪聲濾波器(noise filter)等應用設備,可以是:● 無源的或者有源的● 模擬的或者數字的,(大陸稱為,模擬的或者數字的)● 離散時間(采樣)的或者連續時間的● 線性的或者非線性的● 無限脈沖響應(IIR)或者有限脈沖響應(FIR)不管它們的設計有什么不同,最常見的電子濾波器類型是線性濾波器。參見線性濾波器方面的文章中關于它們的設計和分析的詳細內容。
發布時間: 2019 - 01 - 29
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薄膜光學薄膜光學是光學的一個分支,處理各種很薄的光學材料(薄膜)。和薄膜光學有關的材料,其厚度需要在可見光波長的等級內(約500 nm)。此厚度范圍的薄膜因為光的干涉,以及薄膜、空間及物質間的折射率差異,可以有顯著的折射特性,這些效應稱為薄膜干涉,會影響光學材料折射及傳輸光的特性,像在肥皂泡及水上的油漬就會看到這類的情形。更廣義具有類似光學性質,但不是平面層狀結構的周期性結構稱為光子晶體。在制造上,薄膜層可以由在基質(一般是玻璃)上沉積一層至多層薄膜而產生,一般會用像蒸發或濺射淀積等物理氣相沉積方式,或是化學氣相沉積法。這類的薄膜常用來作光學鍍膜,像是家用或車用的低輻射玻璃、玻璃上的增透膜、汽車車頭燈的反光擋板,以及高精度的濾光器及鏡子。這類鍍膜的另一種應用是空間濾波器。
發布時間: 2019 - 01 - 26
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薄膜薄膜材料是指厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要應用。一個很為人們熟知的表面技術的應用是家用的鏡子:為了形成反射表面在鏡子的背面常常鍍上一層金屬,鍍銀操作廣泛應用于鏡子的制作,而低于一個納米的極薄的鍍層常常用來制作雙面鏡。當光學用薄膜材料(例如減反射膜消反射膜等)由數個不同厚度不同反射率的薄層復合而成時,他們的光學性能可以得到加強。相似結構的由不同金屬薄層組成的周期性排列的薄膜會形成所謂的超晶格結果。在超晶格結構中,電子的運動被限制在二維空間中而不能在三維空間中運動于是產生了量子阱效應。薄膜技術有很廣泛的應用。長久以來的研究已經將鐵磁薄膜用于計算機存儲設備,醫藥品,制造薄膜電池,染料敏化太陽能電池等。陶瓷薄膜也有很廣泛的應用。由于陶瓷材料相對的高硬度使這類薄膜可以用于保護襯底免受腐蝕氧化以及磨損的危害。在刀具上陶瓷薄膜有著尤其顯著的功用,使用陶瓷薄膜的刀具的使用壽命可以有效提升幾個數量級。現階段對于一種被稱為多組分非晶重金屬陽離子氧化物的新型的無機氧化物材料的研究正在進行,這種材料有望用于制造穩定,環保,低成本的透明晶體管。
發布時間: 2019 - 01 - 26
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硅是用來制造芯片的最重要半導體材料。對于可用于制造半導體器件的硅而言。使用一種特殊純度級以滿足嚴格的材料和物理要求。單晶硅的生長柴可拉斯基法(簡稱柴氏法 英語:Czochralski process),又稱直拉法,是一種用來獲取半導體(如硅、鍺和砷化鎵等)、金屬(如鈀、鉑、銀、金等)、鹽、合成寶石單晶材料的晶體生長方法。這個方法得名于波蘭科學家揚·柴可拉斯基,他在1916年研究金屬的結晶速率時,發明了這種方法。后來,演變為鋼鐵工廠的標準制程之一。直拉法最重要的應用是晶錠、晶棒、單晶硅的生長。其他的半導體,例如砷化鎵,也可以利用直拉法進行生長,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以獲得更低的晶體缺陷密度。
發布時間: 2019 - 01 - 25
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化學氣相沉積化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD工藝是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前趨物下,在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品,但大多會隨著氣流被帶走,而不會留在反應腔(reaction chamber)中。微制程大都使用CVD技術來沉積不同形式的材料,包括單晶、多晶、非晶及外延材料。這些材料有硅、碳纖維、碳納米纖維、納米線、納米碳管、SiO2、硅鍺、鎢、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各種不同的high-k介質等材料。CVD制程也常用來生成合成鉆石。
發布時間: 2019 - 01 - 25
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